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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS84KW-TP | Micro Commercial Components | 表面贴装型 P 通道 50 V 130mA（Tj） 225mW SOT-323 | 获取价格 | ||
| BSS84DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | 获取价格 | ||
| BSS84_D87Z | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | 获取价格 | ||
| BSS84,215 | Nexperia | SOT23 | 获取价格 | ||
| BSS84W-7-F | Diodes Incorporated | MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=130mA RDS(ON)=10Ω SOT323 | 获取价格 | ||
| BSS84W RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 表面贴装型 P 通道 60 V 140mA（Ta） 298mW（Ta） SOT-323 | 获取价格 | ||
| BSS84K-TP | Micro Commercial Components | MOSFET P-CH 60V 130MA SOT23 | 获取价格 | ||
| BSS84AK-BR | Nexperia | MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB | 获取价格 | ||
| BSS84PWH6327 | Infineon Technologies | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):150mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@10V,150mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@20uA; | 获取价格 | ||
| BSS84AKW-BX | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70 | 获取价格 | ||
| BSS8402DWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V | 获取价格 | ||
| BSS84AKS,115 | Nexperia | 小型SOT363中的双N沟道增强型场效应晶体管（FET） | 获取价格 | ||
| BSS84AKM,315 | Nexperia | MOSFETs 50V 1.02 x 0.62mm SMT SOT883 230mA | 获取价格 | ||
| BSS84AK,215 | Nexperia | SOT23 0.35W | 获取价格 | ||
| BSS84AKV,115 | Rubycon Corporation | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):170mA;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,100mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA; | 获取价格 | ||
| BSS84PW H6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 | 获取价格 | ||
| BSS84PE6433 | Infineon Technologies | MOSFETP-CH60V170MASOT-23 | 获取价格 | ||
| BSS84P E6433 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 | 获取价格 | ||
| BSS84AKS/ZLX | Nexperia | MOSFET 2 P-CH 50V 160MA 6TSSOP | 获取价格 | ||
| BSS84AKW,115 | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):150mA;功率(Pd):260mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,100mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA; | 获取价格 |
