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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS84PWL6327 | Infineon Technologies | MOSFETP-CH60V150MASOT-323 | 获取价格 | ||
| BSS84P-E6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | 获取价格 | ||
| BSS84AKV,115 | Nexperia | 采用沟槽MOSFET技术的超小型扁平引线SOT666表面安装器件（SMD）塑料封装中的双P沟道增强型场效应晶体管（FET） | 获取价格 | ||
| BSS84_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=130mA SOT23 | 获取价格 | ||
| BSS84PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 | 获取价格 | ||
| BSS84AKW,115 | Nexperia | MOSFETs 50V 2.20 x 1.35mm SMT SOT323 150mA | 获取价格 | ||
| BSS8402DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs N-channel,P-channel VDS1=60V ID1=115mA VDS2=50V ID2=130mA SOT363 | 获取价格 | ||
| BSS8402DW-13-F | Diodes Incorporated | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):130mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@5V,1mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@1mA; | 获取价格 | ||
| BSS8402DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | 获取价格 | ||
| BSS84AKT,115 | NXP Semiconductors | MOSFET P-CH 50V SC-75 | 获取价格 | ||
| BSS84AKMB,315 | Nexperia | MOS管 P-Channel Id=0.23A VDS=50V DFN1006B-3 | 获取价格 | ||
| BSS84PL6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | 获取价格 | ||
| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | 获取价格 | ||
| BSS84PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | 获取价格 | ||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs 60V 360mW SMT PGSOT23 170mA P-Channel | 获取价格 | ||
| BSS84PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 | 获取价格 | ||
| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | 表面贴装型 P 通道 60 V 210mA（Ta） 300mW（Ta） UMT3 | 获取价格 | ||
| BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor | 表面贴装型 P 通道 60 V 230mA（Ta） 200mW（Ta） SST3 | 获取价格 | ||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 | 获取价格 | ||
| BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W | 获取价格 |
