SS1045-SMB | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 45V 100uA@45V 550mV@10A单10A SMB(DO-214AA)肖特基垒二极管 | | | 获取价格 |
MBR30200CT | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 双共阴极200V 30A 920mV@30A 200uA@200V TO-220AB-3肖特基势垒二极管 | | | 获取价格 |
MBR30100CT | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 肖特基二极管 Single VR=100V IF=30A IR=0.2mA CT=570pF TO220AB-3 | | | 获取价格 |
SS510 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 肖特基二极管 Single VR=100V IF=5A IR=0.2mA CT=380pF SMA | | | 获取价格 |
F1M | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 快/超快恢复二极管 电压:1kV 电流:1A SOD-123FL-2 | | | 获取价格 |
1N5819WS | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 1N5819WS | | | 获取价格 |
AO3407 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | AO3407 | | | 获取价格 |
50N06 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19.3nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.423nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):97pF@15V;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
1SMB5918B | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | | | | 获取价格 |
MMBT2222A | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):350mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
S9013 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
2SC1623 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | | | 获取价格 |