型号厂商描述数据手册替代料参考价格
AP9977GHAPECMOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=11A RDS(ON)=100mΩ@10V TO252获取价格
AP10P500NAPECP沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):1.2A 功率(Pd):1.38W获取价格
AP2320GN-SAPECn通道增强模式获取价格
AP9561GH-HFAPECN沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):60W获取价格
AP6679GHAPECP沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):89W获取价格
AP2302GN-HFAPECN沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=3.2A SOT23获取价格
AP2328GN-HFAPECN沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±20V ID=4A获取价格
AP9565BGHAPECP沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):25W获取价格
IRF630A-POWER[AdvancedPowerElectronicsCorp.] IRF630 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET - Advanced Power Electronics Corp.获取价格