| FQU20N06LTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| 2SA1416S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW; | | | 获取价格 |
| 2SD1624S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MMBT4403LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| MMBT5551LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW; | | | 获取价格 |
| BC817-16LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| MMBT5401LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V; | | | 获取价格 |
| MMBTA56LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| MMBTA05LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC848CLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| BC850CLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| MMBT589LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):310mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,2V; | | | 获取价格 |
| SMMBTA06LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| SMMBT4401LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC807-25LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| MMBT6428LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100uA,5V; | | | 获取价格 |
| 2N7002LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA; | | | 获取价格 |
| FDV301N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):220mA;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,400mA; | | | 获取价格 |
| BSS138 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):220mA;功率(Pd):360mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA; | | | 获取价格 |
| MMBF4392LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | | | 获取价格 |
工商网监