找到“DBS152G”相关的规格书共4,068个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| M6MGT331S8BKT | RENESAS[RenesasTechnologyCorp] | M6MGT331S8BKT - 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT /4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS FLASH MEMORY & 8,388,608-BIT (524,288-WORD BY 16-BIT /1,048,576-WORD BY 8-BI - Renesas Technology Corp | 获取价格 | ||
| ARK865SC | Fibox Enclosure Systems | FIBOX - ARK865SC - ENCLOSURE, JUNCTION BOX, PC, GREY - Enclosure Type:Junction Box; Enclosure Material:Polycarbonate; External Height - Metric:127mm; External Width - Metric:152mm; External Depth - Metric:203mm; IP Ratin 51AC8487 | 获取价格 | ||
| 1.5CE160A BK PBFREE | Central | 反向截止电压(Vrwm):136V;击穿电压(最小值):152V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.8A;最大钳位电压:219V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| 1.5CE160A TR PBFREE | Central | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):136V;击穿电压(最小值):152V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.8A;最大钳位电压:219V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| 1.5SMC110A TR13 PBFREE | Central | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):94V;击穿电压(最小值):104.5V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:9.9A;最大钳位电压:152V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| 1.5SMC110CA TR13 PBFREE | Central | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):94V;击穿电压(最小值):104.5V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:9.9A;最大钳位电压:152V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| 1.5SMC160A TR13 PBFREE | Central | 反向截止电压(Vrwm):136V;击穿电压(最小值):152V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.8A;最大钳位电压:219V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| SMIRF8N60T1TL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):152W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.16nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
