MMBT7002K

MMBT7002K MMBT7002K N Version 2011-02-01 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 ±0.1 0.4 3 1.3±0.1 1.1 N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate N-Kanal FET mit Gateschutzdiode – Anreicherungstyp N 350 mW SOT-23 (TO-236) 0.01 g Type Code 1 1.9 2 2.5 max Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D Maximum ratings (TA = 25°C) Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Drain current continuos – Drainstrom (dc) Drain current pulsed – Drainstrom gepulst tp < 10 µs Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur dc ESD VDSS VGSS VGSS Ptot ID IDM Tj TS Grenzwerte (TA = 25°C) MMBT7002K 60 V ± 20 V ± 2 kV 350 mW 115 mA 800 mA 150°C -55…+150°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMBT7002K Characteristics (Tj = 25°C) Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 10 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = 60 V Gate-Source leakage current – Gate-Source Leckstrom VGS = 20 V Gate-Threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS, ID = 250 µA Drain-Source on-voltage – Drain-Source-Spannung VGS = 10 V, ID = 500 mA VGS = 5 V, ID = 50 mA VGS = 10 V, ID = 500 mA VGS = 4.5 V, ID = 200 mA Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS ≥ 10 VDS(on), ID = 200 mA Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Turn-On Time – Einschaltzeit VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω toff 20 ns ton 20 ns Crss 5 pF Coss 25 pF Ciss 50 pF VDS(on) 3.75 V 1.5 V 3Ω 4Ω 80 mS VGS(th) 1V 2.5 V ±IGSS 10 µA BVDSS G short IDSS 1 µA 60 V Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand RDS(on) RDS(on) gFS 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG