找到“EEUFC1V152S”相关的规格书共4,119个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| LPX152M160E7P3 | CDE[CornellDubilierElectronics] | LPX152M160E7P3 - 85 ˚C Radial Snap-In Aluminum Electrolytic Capacitors High Voltage, High Value Radial Leaded Snap-In - Cornell Dubilier Electronics | 获取价格 | ||
| GCM1885C1H152J | MURATA[MurataManufacturingCo.,Ltd.] | GCM1885C1H152J - Chip Monolithic Ceramic Capacitor 0603 C0G 1.5nF 50V - Murata Manufacturing Co., Ltd. | 获取价格 | ||
| P6KE160A | Createk Microelectronics | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):136V;击穿电压:152V;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.7A;最大钳位电压:219V; | 获取价格 | ||
| 1.5SMC110CA/TR7 | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):94V;击穿电压(最小值):105V;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:10A;最大钳位电压:152V; | 获取价格 | ||
| TSP8N60M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):7.5A;功率(Pd):152W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 1N5388BRLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：200V 稳压值(范围)：190V~210V 精度：±5% 功率：5W 反向电流(Ir)：500nA@152V 阻抗(Zzt)：480Ω | 获取价格 | ||
| P6KE110CA | Createk Microelectronics | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):94V;击穿电压:105V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:3.9A;最大钳位电压:152V; | 获取价格 | ||
| ARK864CHFSSL | Fibox Enclosure Systems | FIBOX - ARK864CHFSSL - SMALL ENCLOSURE, POLYCARBONATE, GREY - Enclosure Type:Small; Enclosure Material:Polycarbonate; External Height - Metric:101mm; External Width - Metric:152mm; External Depth - Metric:203mm; IP Rating:IP 51AC8447 | 获取价格 | ||
| 1.5SMC160CA TR13 PBFREE | Central | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):136V;击穿电压(最小值):152V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.8A;最大钳位电压:219V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| 1.5CE110A BK PBFREE | Central | 反向截止电压(Vrwm):94V;击穿电压(最小值):104.5V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:9.9A;最大钳位电压:152V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| 1.5CE160CA BK PBFREE | Central | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):136V;击穿电压(最小值):152V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.8A;最大钳位电压:219V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| M6MGT331S8BKT | RENESAS[RenesasTechnologyCorp] | M6MGT331S8BKT - 33,554,432-BIT (2,097,152 - WORD BY 16-BIT /4,194,304-WORD BY 8-BIT) CMOS FLASH MEMORY & 8,388,608-BIT (524,288-WORD BY 16-BIT /1,048,576-WORD BY 8-BI - Renesas Technology Corp | 获取价格 | ||
| ARK865SC | Fibox Enclosure Systems | FIBOX - ARK865SC - ENCLOSURE, JUNCTION BOX, PC, GREY - Enclosure Type:Junction Box; Enclosure Material:Polycarbonate; External Height - Metric:127mm; External Width - Metric:152mm; External Depth - Metric:203mm; IP Ratin 51AC8487 | 获取价格 | ||
| 1.5CE160A BK PBFREE | Central | 反向截止电压(Vrwm):136V;击穿电压(最小值):152V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.8A;最大钳位电压:219V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| 1.5CE160A TR PBFREE | Central | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):136V;击穿电压(最小值):152V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.8A;最大钳位电压:219V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| 1.5SMC110A TR13 PBFREE | Central | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):94V;击穿电压(最小值):104.5V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:9.9A;最大钳位电压:152V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| 1.5SMC110CA TR13 PBFREE | Central | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):94V;击穿电压(最小值):104.5V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:9.9A;最大钳位电压:152V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| 1.5SMC160A TR13 PBFREE | Central | 反向截止电压(Vrwm):136V;击穿电压(最小值):152V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.8A;最大钳位电压:219V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW; | 获取价格 | ||
| SMIRF8N60T1TL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):152W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.16nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
