找到“IB2405S”相关的规格书共1,792个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1205T-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):10W;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@3A,60mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):320MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC3649S-TD-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC3648S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):120mV@250mA,25mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FSB649 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC857BDW1T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):380mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1202S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1815S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1202S-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5551TF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC3649T-TD-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SBCP68T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@100mA,5V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NSV1C201MZ4T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP51-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP56-16T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PZT3904 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PZTA56 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP52-16-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-1A 功率(Pd)：1.5W 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征频率(fT)：100MHz (100~250) | 获取价格 | ||
| MJ11016G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):30A;功率(Pd):200W;集电极截止电流(Icbo@Vcb):1mA;集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib):4V@30A,300mA;直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@5V,20A;特征频率(fT):4MHz;工作温度:-55℃~+200℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1815 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB649AG-C-TN3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@600mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
