找到“IB2405S”相关的规格书共1,792个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MJD340T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@50mA,10V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD669AG-C-TN3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@600mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSR41,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.35W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1664 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1797 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):350mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5964-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):380MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD965A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):340@500mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):270@100mA,2V;特征频率(fT):290MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS5330X,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.4W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):320mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):175@1A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX52,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB804 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):290mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@500mA,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC2883Y | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5053R | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BF623,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@30mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BF621,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@30mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX56-16,147 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX52TF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS5250X,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):320mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@2A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS303PX,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):5.1A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):160mV@5.1A,255mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@6A,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4379YU | ST(先科) | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
