找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52C43 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：43V 稳压值(范围)：40V~46V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2uA@33V 阻抗(Zzt)：130Ω | 获取价格 | ||
| 1N5233B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6V 稳压值(范围)：5.7V~6.3V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5μA@3.5V 阻抗(Zzt)：7Ω 6V 0.5W | 获取价格 | ||
| 1N5247B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：17V 稳压值(范围)：16.15V~17.85V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@13V 阻抗(Zzt)：19Ω 17V 0.5W | 获取价格 | ||
| 1N5248B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@14V 阻抗(Zzt)：21Ω 18V 0.5W | 获取价格 | ||
| 1N4148W | YONGYUTAI | 功率：500mW 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| GBLC15C | MDD辰达半导体 | Bi PD=300W VRWM=15V VBR=16.7V VC=31.8V IPP=5A IR=1uA CJ=0.8PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| BAV199WQ-7 | NIHON INTER ELECTRONICS CORP | 二极管配置：1对串联式 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：160mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5nA@75V | 获取价格 | ||
| S3MC | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 1000V 3A | 获取价格 | ||
| ESD3B5CM | MDD辰达半导体 | Bi PD=400W VRWM=5V VBR=5.8V VC=20V IPP=25A IR=1uA CJ=30PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N4448W | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：25nA@20V | 获取价格 | ||
| 1N4007WS | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：300mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：25nA@20V | 获取价格 | ||
| SMAJ75A | Jingdao | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：75V 击穿电压(最小值)：83.3V 击穿电压(最大值)：92.1V 反向漏电流(Ir)：1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：3.3A 最大钳位电压：121V | 获取价格 | ||
| SM05OC | MDD辰达半导体 | Bi PD=130W VRWM=5V VBR=5.6V VC=16V IPP=8A IR=1uA CJ=15PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| ESD0502T5L | MDD辰达半导体 | Bi PD=60W VRWM=5V VBR=6V VC=15V IPP=4A IR=0.1uA CJ=0.5PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N5819WS | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：350mA 正向压降(Vf)：600mV@200mA 反向电流(Ir)：5uA@30V | 获取价格 | ||
| ES1B_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 正向压降(Vf)：950mV 1A 直流反向耐压(Vr)：100V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：1μA 100V 反向恢复时间(trr)：35ns | 获取价格 | ||
| FR1M_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 正向压降(Vf)：1.3V 1A 直流反向耐压(Vr)：1kV 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：1μA 1kV 反向恢复时间(trr)：500ns | 获取价格 | ||
| US1M | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| RS2M | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.3V 2A 反向电流(Ir)：5μA 1kV 反向恢复时间(trr)：500ns | 获取价格 | ||
| 1N4002W | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@100V 100V,1A,VF=1.1V@1A | 获取价格 |
