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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
BZT52C2V7Taiwan shike Electronics co.,ltd二极管配置:独立式 稳压值(标称值):2.7V 稳压值(范围):2.5V~2.9V 精度:±5% 功率:500mW 反向电流(Ir):120uA@1V 阻抗(Zzt):110Ω获取价格
1N4148WSSLKORMICRO Electronics Co., Ltd功率:350mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向电流(Ir):1uA@75V 反向恢复时间(trr):4ns获取价格
BAS716FNexperia二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):85V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.1V@50mA 反向电流(Ir):5nA@75V获取价格
BZT52C22S-7-FDiodes Incorporated二极管配置:独立式 稳压值(标称值):22V 稳压值(范围):20.8V~23.3V 功率:200mW 反向电流(Ir):100nA@15.4V 阻抗(Zzt):55Ω获取价格
BZT52C11Q-7-FDiodes Incorporated二极管配置:独立式 稳压值(标称值):11V 稳压值(范围):10.4V~11.6V 功率:370mW 反向电流(Ir):100nA@8V 阻抗(Zzt):20Ω获取价格
US1MYenji Electronics co.,Ltd二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向电流(Ir):5uA@1kV 反向恢复时间(trr):75ns获取价格
MMBZ5223BS-7-FDiodes Incorporated二极管配置:2个独立式 稳压值(标称值):2.7V 稳压值(范围):2.57V~2.84V 功率:200mW 反向电流(Ir):75uA@1V 阻抗(Zzt):30Ω获取价格
MMBZ5248B-7-FDiodes Incorporated二极管配置:独立式 稳压值(标称值):18V 稳压值(范围):17.1V~18.9V 功率:350mW 反向电流(Ir):100nA@14V 阻抗(Zzt):21Ω获取价格
BZT52C24S-7-FDiodes Incorporated二极管配置:独立式 稳压值(标称值):24V 稳压值(范围):22.8V~25.6V 功率:200mW 反向电流(Ir):100nA@16.8V 阻抗(Zzt):70Ω获取价格
BZT52C11-7-FDiodes Incorporated二极管配置:独立式 稳压值(标称值):11V 稳压值(范围):10.4V~11.6V 功率:370mW 反向电流(Ir):100nA@8V 阻抗(Zzt):20Ω获取价格
1N4746AON Semiconductor二极管配置:独立式 稳压值(标称值):18V 稳压值(范围):17.1V~18.9V 精度:±5% 功率:1W 反向电流(Ir):5uA@13.7V 阻抗(Zzt):20Ω 18V 1W获取价格
1SMA5945BT3GON Semiconductor二极管配置:独立式 稳压值(标称值):68V 稳压值(范围):64.6V~71.4V 精度:±5% 功率:500mW 反向电流(Ir):500nA@51.7V 阻抗(Zzt):120Ω获取价格
SMAZ36-13-FDiodes Incorporated二极管配置:独立式 稳压值(标称值):36V 稳压值(范围):34.2V~37.8V 精度:±5% 功率:1W 反向电流(Ir):500nA@27.4V 阻抗(Zzt):40Ω获取价格
SMAZ33-13-FDiodes Incorporated二极管配置:独立式 稳压值(标称值):33V 稳压值(范围):31.35V~34.65V 精度:±5% 功率:1W 反向电流(Ir):500nA@25.1V 阻抗(Zzt):15Ω获取价格
1SMB5929BT3GON Semiconductor二极管配置:独立式 稳压值(标称值):15V 稳压值(范围):14.25V~15.75V 精度:±5% 功率:550mW 反向电流(Ir):1uA@11.4V 阻抗(Zzt):9Ω获取价格
BZT52C39-7-FDiodes Incorporated二极管配置:独立式 稳压值(标称值):39V 稳压值(范围):37V~41V 功率:370mW 反向电流(Ir):100nA@27.3V 阻抗(Zzt):130Ω获取价格
SMAZ18-13-FDiodes Incorporated二极管配置:独立式 稳压值(标称值):18V 稳压值(范围):17.1V~18.9V 精度:±5% 功率:1W 反向电流(Ir):500nA@13.7V 阻抗(Zzt):15Ω获取价格
MURA210T3GON Semiconductor直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):940mV@2A 反向电流(Ir):2uA@100V 反向恢复时间(trr):30ns 工作温度:-65℃~+175℃@(Tj)获取价格
1SS355VMTE-17Rohm Semiconductor二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V@100mA 反向电流(Ir):100nA@80V获取价格
MURA140T3GON Semiconductor直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):5uA@400V 反向恢复时间(trr):65ns 工作温度:-65℃~+175℃@(Tj)获取价格