找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MURS140T3G | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.25V@1A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1SMB5930BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：16V 稳压值(范围)：15.2V~16.8V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@12.2V 阻抗(Zzt)：10Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5932BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：20V 稳压值(范围)：19V~21V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@15.2V 阻抗(Zzt)：14Ω | 获取价格 | ||
| 1SMA5928BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：13V 稳压值(范围)：12.35V~13.65V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@9.9V 阻抗(Zzt)：7Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5259BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：39V 稳压值(范围)：37.05V~40.95V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@30V 阻抗(Zzt)：80Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5250BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：20V 稳压值(范围)：19V~21V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@15V 阻抗(Zzt)：25Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5243BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：13V 稳压值(范围)：12.35V~13.65V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：500nA@9.9V 阻抗(Zzt)：13Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5239BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：9.1V 稳压值(范围)：8.65V~9.56V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：3uA@7V 阻抗(Zzt)：10Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5232BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.6V 稳压值(范围)：5.32V~5.88V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5uA@3V 阻抗(Zzt)：11Ω | 获取价格 | ||
| ST36 | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):60V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):500mV@3A;反向电流(Ir):30uA@60V; | 获取价格 | ||
| SMF100A | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):100V;击穿电压:111V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:1.2A;最大钳位电压:162V; | 获取价格 | ||
| P6KE18CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):15.3V;击穿电压:17.1V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:24.2A;最大钳位电压:25.2V; | 获取价格 | ||
| P6KE43A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):36.8V;击穿电压:40.9V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:10.3A;最大钳位电压:59.3V; | 获取价格 | ||
| P6KE100A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):85.5V;击穿电压:95V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:4.5A;最大钳位电压:137V; | 获取价格 | ||
| P6KE33CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):28.2V;击穿电压:31.4V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:13.3A;最大钳位电压:45.7V; | 获取价格 | ||
| SAC36/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):36V;击穿电压:40V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:8.6A;最大钳位电压:60V; | 获取价格 | ||
| P6KE16A | SEMBO ELECTRONICS | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):13.6V;击穿电压:15.2V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:27A;最大钳位电压:22.5V; | 获取价格 | ||
| P6KE200A | SEMBO ELECTRONICS | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):171V;击穿电压:190V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.2A;最大钳位电压:274V; | 获取价格 | ||
| GBJ2010 | Shandong Baocheng Electronics Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):1.1V@10A;反向电流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):240A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| B1D10065E | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):29A;正向压降(Vf):1.44V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; | 获取价格 |
