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VBPW34SVishay Intertechnology, Inc.Photodiode 940nm 100ns 130° 2-SMD, Gull Wing 电流 - 暗:2nA (Typ) 波长:940nm 频谱范围:430nm~1100nm 电压 - 集射极击穿(最大值):-获取价格
LS10-13B15R3PMORNSUN型号:LS10-13B15R3P 功率(W): 10 输入电压(VAC): 85-305 输入电压(VDC): 90-430 输出电压(VDC): 15 输出电流: 670mA 输出路数: 1 隔离电压: 3600VAC获取价格
2PA1774RM,315Rubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):430mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1mA,6V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
FQA13N50CFMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):218W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):430mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):43nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.58nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
2PC4617RM,315Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):430mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1mA,6V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格