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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BF721T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@30mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1205S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):10W;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@3A,60mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@500mA,2V;特征频率(fT):320MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1060R-1E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 12A02MH-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):120mV@400mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@10mA,2V;特征频率(fT):450MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BD135TG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1205T-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):10W;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@3A,60mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):320MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC847PN | Rubycon Corporation | 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：15nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA；650mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V；特征频率(fT) 100MHz工作温度 +150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PZTA44,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):300mA;功率(Pd):1.35W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,10V;特征频率(fT):20MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP69,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP54,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP68-25,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP53-16 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-; | 获取价格 | ||
| 2SA2016-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):240mV@2A,40mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):290MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PXT2222A,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):800mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1115 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB805 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):700mA;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):45@5mA,1V;特征频率(fT):75MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX51-16TF | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS4021NX,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):137mV@7A,350mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@8A,2V;特征频率(fT):115MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS4032NX,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):4.7A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):240mV@5.4A,270mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):275@6A,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS306PX,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3.7A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):210mV@4A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
