| 1 | D44VH10G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):83W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,1V; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 2 | DTC114EUA | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 3 | DN3018KW | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):300mA;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,... | 下载 | DOESHARE |
| 4 | DTA113ZUA | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 5 | DTA114YUA | | 下载 | Rubycon Corporation |
| 6 | DTC143ZM | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):100mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | 下载 | Rubycon Corporation |
| 7 | DTC114YM | | 下载 | Rubycon Corporation |
| 8 | DTC143EM | | 下载 | Rubycon Corporation |
| 9 | D882-TU | | 下载 | Rubycon Corporation |
| 10 | DAN202U | 二极管配置:1对共阴极;功率:200mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 11 | DSF1J | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向恢复时间(trr):35ns; | 下载 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. |
| 12 | DSK26 | 直流反向耐压(Vr):60V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):700mV@2A; | 下载 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. |
| 13 | DIO8650ECST6 | | 下载 | Dioo Microcircuits Co,. LTD |
| 14 | D882H | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):70V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 15 | DTC143ZE | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN | 下载 | T&C Technology |
| 16 | DTC144EE | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | 下载 | T&C Technology |
| 17 | DTC143ZE | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN | 下载 | DOESHARE |
| 18 | DTC124EE-MS | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)：3V@20mA,0.3V 最大输入电压(VI(of... | 下载 | Mason semiconductor |
| 19 | DTC123JE | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA... | 下载 | TWGMC |
| 20 | DS18B20U+T&R | 温度传感器 数字，本地 -55°C ~ 125°C 12 b 8-uMAX/uSOP | 下载 | Analog Devices Inc. |
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