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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1MCR100G-8-AD-AE3-R编带单向可控硅下载Unisonic Technology Co., Ltd.
2MMBFJ175LT1GFET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
3MMBF4391LT1GFET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
4MMBFJ309LT1GFET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
5MGSF1N02LT1G类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):750mA;功率(Pd):400mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
6MMBFJ176FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;栅源截止电压(VGS(off)@ID):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(R...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
7MMBF4117FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
8MMBF4393LT1GFET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
9MGSF2N02ELT1G类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@4.5V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
10MMBT3906-13-01-F晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@...下载Diodes Incorporated
11MMBT3904晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发...下载YFW
12MC74HC125ADR2GHigh-Performance Silicon-Gate CMOS下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
13MC34074DR2G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
14MOC3011SR2M可控硅类型:双向可控硅;正向电压:1.15V;正向电流:60mA;断态峰值电压(Vdrm):250V;输出电流(It(rms)):-;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
15MMSZ8V2BW下载FORMOSA MICROSEMI CO. LTD
16MM5Z12VT5GDIODE ZENER 12V 500MW SOD523下载ON Semiconductor
17MMBZ5226BV_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
18MMBZ5239BV_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
19MM5Z5V1B-AQDIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523下载DIOTEC
20MMBZ5242BV_R1_00001二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523下载PANJIT SEMI CONDUCTOR