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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1PIC16F18446-I--SOPIC PIC® XLP™ 16F, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 32MHz 28KB(16K x 14) 闪存 20...下载Microchip Technology Inc.
2PIC18F14Q40-E--SOPIC PIC® 18F 微控制器 IC 8 位 64MHz 16KB(16K x 8) 闪存 20-SOIC下载Microchip Technology Inc.
3PIC16F15244-I--SOIC MCU 8BIT 7KB FLASH 20SOIC下载Microchip Technology Inc.
4PBHV9050Z,115晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):500V;集电极电流(Ic):250mA;功率(Pd):700mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-...下载Rubycon Corporation
5PBHV9115Z,115晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):700mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极...下载Rubycon Corporation
6PS223J3A1503容值:22nF;精度:±5%;额定电压:1kV;下载KYET
7PG150_R2_00001DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
8PG201_R2_00001DIODE GEN PURP 100V 2A DO15下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
9PG2010R_R2_00001DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15下载PANJIT SEMI CONDUCTOR
10PT8201下载ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD.
11PS9115F类型:-;协议类别:-;驱动器/接收器数:-;数据速率:-;下载HYPWR
12PSMN2R0-30PL,127类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):211W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1mΩ@10V,1...下载Rubycon Corporation
13P1010AT类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):69A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,...下载NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
14PDTA114EU,115晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;下载Rubycon Corporation
15PDTC114EU,1151 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V SOT-323-3 Digital Transistors ROHS下载Rubycon Corporation
16PDTD113ZUX晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):425mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极...下载Rubycon Corporation
17PDTA114YU,115下载Rubycon Corporation
18PMST3906,115晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射...下载Rubycon Corporation
19PMST4403,115晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射...下载Rubycon Corporation
20PJ78M05TE下载Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd.