找到“TIP116”相关的规格书共2,927个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1054702 | Phoenix Contact | Snap-In Locking Vented Enclosure Of The ECS Family. Ip66/67/69 Rated When Mated With Associated Faceplate. Color Grey (7042), Width 172 mm, Height 116 mm, Depth 64 mm | 获取价格 | ||
| 72-9345 | TENMA CORPORATION | TENMA - 72-9345 - TEST LEAD SET, BLACK, RED, 500MM, 1KV, 10A - Test Connector Type A:Test Tip Probe; Test Connector Type B:4mm Banana Plug, Shrouded; Voltage Rating:1kV; Current Rating:10A; Insulator Colour:Black, Red; 86T2028 | 获取价格 | ||
| DEL-773-116/K194-4045 | WAGO | WAGO - 773-116/K194-4045 - TERMINAL BLOCK, PLUGGABLE, 6POS, 12AWG - Pitch Spacing:-; No. of Positions:6Positions; Wire Size AWG Min:18AWG; Wire Size AWG Max:12AWG; Conductor Area CSA:2.5mm²; Wire Connection Method:Push In; Rated 76R4839 | 获取价格 | ||
| NUF4001MUT2G | ON Semiconductor | 该器件是用于无线应用的 4 线 EMI 滤波器阵列。 在 800 MHz 至 5.0 GHz 范围的频率下可获得大于 -25 dB 的衰减。 NUF4001MU 的切断频率为 150 MHz，可用于数据速率最高 58 MHz 或 116 Mbs 的应用。 此 UDFN 封装专用于增强小外形或薄款设计电子元件的 EMI 滤波性能，尤其适用于空间和高度非常宝贵的应用。 它还提供针对静电荷的 ESD 保护箝位瞬变。 所有电容器均提供 ESD 防护。 | 获取价格 | ||
| DP3415 | DOESHARE | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):670mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):7.2nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):940pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):116pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB029N06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):193A;功率(Pd):231W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):116nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.38nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):451pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AIGW50N65H5 | Infineon Technologies | IGBT类型:-;功率(Pd):270W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):83A;集电极脉冲电流(Icm):150A;集电极截止电流(Ices@Vce):40uA@650V;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge):1.66V@50A,15V;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):4V@500uA;栅极电荷(Qg@Ic,Vge):116nC@50A,15V;输入电容(Cies@Vce):2.8nF@25V;开启延迟时间(Td(on)):21ns;关断延迟时间(Td(off | 获取价格 |
