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KL816S1-A-TUKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比80~160%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,SMD4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),S1TU-铜线获取价格
KL357-B-TAKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压3750V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间4us,工作温度-55~+110℃,SOP4(尺寸4.4x4.0x2.0mm),TA-铜线获取价格
KL357-A-TAKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比80~160%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压3750V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间4us,工作温度-55~+110℃,SOP4(尺寸4.4x4.0x2.0mm),TA-铜线获取价格
KL2501-KKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间5us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),直脚-铜线获取价格
KL817-BKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),直脚-铜线获取价格
KL817M-AKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比80~160%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铜线获取价格
KL817M-DKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铜线获取价格
KL817-CKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),直脚-铜线获取价格
KL817M-D-FKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铁线获取价格
KL816-AKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比80~160%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),直脚-铜线获取价格
KL816-BKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),直脚-铜线获取价格
KL816M-BKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铜线获取价格
KL816-CKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),直脚-铜线获取价格
KL816M-AKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比80~160%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铜线获取价格
KL357-D-TAKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压3750V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间4us,工作温度-55~+110℃,SOP4(尺寸4.4x4.0x2.0mm),TA-铜线获取价格
KL357-C-TAKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压3750V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间4us,工作温度-55~+110℃,SOP4(尺寸4.4x4.0x2.0mm),TA-铜线获取价格
KL2501S1-L-TUKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间5us,工作温度-55~+110℃,SMD4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),S1TU-铜线获取价格
KL2501M-NKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比80~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间5us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铜线获取价格
KL2501S1-W-TUKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间5us,工作温度-55~+110℃,SMD4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),S1TU-铜线获取价格
KL817S1-C-TU-FKinglight晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间3us,工作温度-55~+110℃,SMD4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),S1TU-铁线获取价格