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KIRFR9024NTRTBFKUU SEMICONDUCTOR类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):8.8A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,5.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):570pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):65pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
QM4002AD-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):55A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,38.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):42nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.801nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):570pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格