找到bts650p相关的规格书共6,180
型号厂商描述数据手册替代料参考价格
MKP1T032206F00JSSDWIMA0.22 µF 薄膜电容器 650V 1600V(1.6kV) 聚丙烯(PP),金属化 径向获取价格
FKP1T022206B00JSSDWIMA0.022 µF 薄膜电容器 650V 1600V(1.6kV) 聚丙烯(PP),金属化 径向获取价格
FKP1T006804B00KSSDWIMA680 pF 薄膜电容器 650V 1600V(1.6kV) 聚丙烯(PP),金属化 径向获取价格
FKP1T011504D00KSSDWIMA1500 pF 薄膜电容器 650V 1600V(1.6kV) 聚丙烯(PP),金属化 径向获取价格
FKP1T021005H00MSC9WIMA10000 pF 薄膜电容器 650V 1600V(1.6kV) 聚丙烯(PP),金属化 径向获取价格
MKP1T012203C00MSSDWIMA2200 pF 薄膜电容器 650V 1600V(1.6kV) 聚丙烯(PP),金属化 径向获取价格
MKP1T021505B00KSSDWIMA0.015 µF 薄膜电容器 650V 1600V(1.6kV) 聚丙烯(PP),金属化 径向获取价格
PPA2203100KJNichicon0.1 µF 薄膜电容器 650V 2000V(2kV) 聚丙烯(PP),金属化 轴向获取价格
PPA2204100KRNichicon1 µF 薄膜电容器 650V 2000V(2kV) 聚丙烯(PP),金属化 轴向获取价格
FQD4N50-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4.5A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,4.5A;获取价格
NTB190N65S3HFMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):162W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10A,10V;获取价格
YFW8N65ADYFW类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):950mΩ@10V,4A;获取价格
BAT42W 环保Rubycon Corporation直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):650mV@50mA;获取价格
ECF1VM221F12OTPOYunxing Electronic直插铝电解电容 插件,D8xL12mm 220µF ±20% Ф8.00 x 12.00mm 35V 650mA 6000Hrs@105℃获取价格
KF470M050E110ACAPXON INTERNATIONAL ELECTRONIC CO.,LTD.直插铝电解电容 插件,D6.3xL11mm 47µF ±20% Ф6.30 x 11.00mm 50V 650mΩ 290mA 2000Hrs@105℃获取价格
FNR4020S390MTChangjiang Microelectronics Technology Co., Ltd.4.0*4.0*2.0(4020) 电感值:39µH 精度:±20%  饱和电流(isat):0.9A 温升电流(irms):0.64A 直流电阻(DCR):650获取价格
B82422A3271K100TDK Corporation固定电感器 SMD-2 270nH ±10% 235mA 900mΩ 650MHz 20@30MHz获取价格
B82422-H1152-K100EPCOS[EPCOS] B82422-H1152-K100 - High-current version Size 1210 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 1 to 100 mH Rated current 90 to 650 mA - EPCOS获取价格
B82422-H1104-K100EPCOS[EPCOS] B82422-H1104-K100 - High-current version Size 1210 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 1 to 100 mH Rated current 90 to 650 mA - EPCOS获取价格
TPS54527DDARTexas Instruments降压型-40℃~+85℃@(TA)1降压可调0.76V~6V 5A 4.5V~18V 650kHz SOIC-8-EP DC-DC转换器ROHS获取价格