找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BCV 62B E6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 55 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP 53-16 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFP 720FESD H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):4.2V;集电极电流(Ic):30mA;功率(Pd):100mW;集电极截止电流(Icbo):400nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@15mA,3V;特征频率(fT):45GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFP 450 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):4.5V;集电极电流(Ic):170mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@90mA,3V;特征频率(fT):24GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFP 182R E7764 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):35mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,8V;特征频率(fT):8GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 53 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 856U E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP 54-16 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 53-16 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 52-16 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFR 93A E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):90mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@30mA,8V;特征频率(fT):6GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFR 360L3 E6765 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):6V;集电极电流(Ic):35mA;功率(Pd):210mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@15mA,3V;特征频率(fT):14GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 846S H6727 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCM857BV,315 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):175MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC52-16PASX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5226A-4-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):10V;集电极电流(Ic):70mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):7GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJB5555TM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):170mV@1A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@800mA,3V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJL6920TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):800V;集电极电流(Ic):20A;功率(Pd):200W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@11A,2.75A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):5.5@11A,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJD5553TM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):230mV@1A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@400mA,3V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
