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BZX85B36VLuguang Electronics Technology Co., Ltd.二极管配置:独立式;稳压值(标称值):36V;精度:±2%;功率:1.3W;反向电流(Ir):500nA@27V;阻抗(Zzt):40Ω;获取价格
BZX85B20VLuguang Electronics Technology Co., Ltd.二极管配置:独立式;稳压值(标称值):20V;精度:±2%;功率:1.3W;反向电流(Ir):500nA@15V;阻抗(Zzt):24Ω;获取价格
BZX85B160VLuguang Electronics Technology Co., Ltd.二极管配置:独立式;稳压值(标称值):160V;精度:±2%;功率:1.3W;反向电流(Ir):500nA@120V;阻抗(Zzt):1.1kΩ;获取价格
1N5398Shuned International CO., LTD.二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.4V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@800V;获取价格
MBRD20100CTRubycon Corporation二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):1V@10A;反向电流(Ir):-;获取价格
BZT52B5V1Rubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):5.1V;稳压值(范围):5V~5.2V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):2uA@2V;阻抗(Zzt):60Ω;获取价格
MMSZ5243BRubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):13V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):500nA@9.9V;阻抗(Zzt):13Ω;获取价格
MMSZ5230BRubycon Corporation二极管配置:独立式;稳压值(标称值):4.7V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):5μA@2V;阻抗(Zzt):19Ω;获取价格
TC27VTBT&C Technology二极管配置:独立式;稳压值(标称值):27V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):200nA@21V;阻抗(Zzt):45Ω;获取价格
HZ6B1ST(先科)二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):5.5V~5.8V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):5uA@2V;阻抗(Zzt):40Ω;获取价格
15400585A3590Wurth Electronics Inc.红外(IR) 发射器 850nm 1.5V 100mA 35mW/sr @ 50mA 35° 径向获取价格
15400385F3590Wurth Electronics Inc.红外(IR) 发射器 845nm 1.5V 100mA 25mW/sr @ 50mA 30° 径向获取价格
VSMA1085400Vishay Intertechnology, Inc.红外(IR) 发射器 860nm 3.25V 1.5A 975mW/sr @ 1.5A 80° 3-SMD,无引线获取价格
QLIR01BYGMQuelighting Corporation红外(IR) 发射器 860nm 1.5V 200mA 250mW/sr @ 100mA 20° 径向,5mm 直径(T 1 3/4)获取价格
LS-0905-015Advanced Photonix Inc红外(IR) 发射器 905nm(895nm ~ 915nm) 1.3V 100mA TO-46-2 透镜顶部金属罐获取价格
LS-0810-015Advanced Photonix Inc红外(IR) 发射器 810nm(805nm ~ 820nm) 1.6V 100mA TO-46-2 透镜顶部金属罐获取价格
SFH 4254ams-OSRAM AG红外(IR) 发射器 850nm 1.4V 70mA 4mW/sr @ 50mA 120° 2-SMD,扁平引线获取价格
B2601IR--20C000113U1930Harvatek红外(IR) 发射器 940nm 1.5V 65mA 0.1mW/sr @ 20mA 140° 1205(3212 公制)获取价格
B2591IRP-20C000132U1930Harvatek红外(IR) 发射器 850nm 1.45V 50mA 7.5mW/sr @ 20mA 20° 1210(3225 公制)获取价格
B2571IR--A1C000272U1930Harvatek红外(IR) 发射器 940nm 1.46V 100mA 80mW/sr @ 100mA 30° 1210(3225 公制)获取价格