找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| IR91-21C--TR9 | Everlight Electronics Co Ltd | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 65mA 3mW/sr @ 20mA 25° Axial, Flat Leads | 获取价格 | ||
| VSMY2853SL | Vishay Intertechnology, Inc. | Infrared (IR) Emitter 850nm 1.65V 100mA 35mW/sr @ 100mA 56° 2-SMD, Gull Wing | 获取价格 | ||
| SE2470-002 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | Infrared (IR) Emitter 880nm 1.8V 75mA 6mW/sr @ 50mA 18° Mini-pill | 获取价格 | ||
| VSMS3700-GS08 | Vishay Intertechnology, Inc. | Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 1.6mW/sr @ 100mA 120° 2-PLCC | 获取价格 | ||
| BZB784-C4V7,115 | Nexperia | 二极管配置：1对共阳极 稳压值(范围)：4.4V~5.7V 精度：±5% 功率：350mW 反向电流(Ir)：3uA@2V 阻抗(Zzt)：80Ω | 获取价格 | ||
| BZB84-B5V6,215 | Nexperia | 二极管配置：1对共阳极 稳压值(范围)：5.49V~5.71V 精度：±2% 功率：300mW 反向电流(Ir)：1uA@2V 阻抗(Zzt)：40Ω | 获取价格 | ||
| BZB784-C5V6,115 | Nexperia | 二极管配置：1对共阳极 稳压值(范围)：5.2V~6V 精度：±5% 功率：350mW 反向电流(Ir)：1uA@2V 阻抗(Zzt)：40Ω | 获取价格 | ||
| BZB84-B5V1,215 | Nexperia | 二极管配置：1对共阳极 稳压值(范围)：5V~5.2V 精度：±2% 功率：300mW 反向电流(Ir)：2uA@2V 阻抗(Zzt)：60Ω | 获取价格 | ||
| BZX84C7V5-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：7.5V 稳压值(范围)：7V~7.9V 功率：350mW 反向电流(Ir)：1uA@5V 阻抗(Zzt)：15Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ4678T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：1.8V 稳压值(范围)：1.71V~1.89V 功率：500mW 反向电流(Ir)：7.5uA@1V | 获取价格 | ||
| DDZ3V6ASF-7 | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(范围)：3.45V~3.69V 功率：500mW 反向电流(Ir)：10uA@1V 阻抗(Zzt)：130Ω | 获取价格 | ||
| MM3Z15VST1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(范围)：14.34V~14.98V 功率：300mW 反向电流(Ir)：100nA@11V 阻抗(Zzt)：40Ω | 获取价格 | ||
| S1JHE3_A--H | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：1uA@600V | 获取价格 | ||
| S8KC-13 | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：985mV@8A 反向电流(Ir)：10uA@800V | 获取价格 | ||
| S3G-E3--57T | Vishay Intertechnology, Inc. | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.15V@2.5A 反向电流(Ir)：10uA@400V | 获取价格 | ||
| 1N4737A | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：7.5V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：10μA@5V 阻抗(Zzt)：4Ω 7.5V 1W | 获取价格 | ||
| S1J | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5μA@600V | 获取价格 | ||
| S5MB | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：1.1V@5A 反向电流(Ir)：10μA@1kV | 获取价格 | ||
| SD03 | MDD辰达半导体 | Uni PD=350W VRWM=3.3V VBR=4V VC=10.5V IPP=20A IR=40uA CJ=450PF | 获取价格 | ||
| 1N4448 | ST(先科) | 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@100mA 反向电流(Ir)：5uA@75V | 获取价格 |
