找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| BBY 58-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):10V;反向电流(Ir):10nA@8V;二极管电容(CT):4.7pF@6V,1MHz;电容比:3.05@C1V/C4V;串联电阻(Rs):300mΩ;工作温度:-55℃~+125℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BAV 70U E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2对共阴极;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):150nA@70V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV 70S H6827 | Infineon Technologies | 二极管配置:2对共阴极;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):150nA@70V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV 99S H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2对串联式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):150nA@70V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDP30E60 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:142.9W;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):52.3A;正向压降(Vf):2V@30A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):126ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BBY 53-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):6V;反向电流(Ir):10nA@4V;二极管电容(CT):2.4pF@3V,1MHz;电容比:2.2@C1V/C3V;串联电阻(Rs):470mΩ;工作温度:-55℃~+125℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BAV23QAZ | Rubycon Corporation | 二极管配置:1对共阴极;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):230mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS416F | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):85V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):3pA@75V;反向恢复时间(trr):800ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS521BX | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:380mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS45A,143 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:300mW;直流反向耐压(Vr):125V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1V@100mA;反向电流(Ir):1nA@125V;反向恢复时间(trr):1.5us;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS16VV,115 | Rubycon Corporation | 二极管配置:3个独立式;功率:180mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4531,113 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):100nA@50V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+200℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV70S,135 | Rubycon Corporation | 二极管配置:2对共阴极;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DM6W15A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):15V;击穿电压(最小值):16.7V;击穿电压(最大值):18.5V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:189A;最大钳位电压:24.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM6W33A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):33V;击穿电压(最小值):36.7V;击穿电压(最大值):40.6V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:86A;最大钳位电压:53.3V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| BAV21WS-13-F | Diodes Incorporated | 二极管配置:独立式;功率:200mW;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DM6W13A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):13V;击穿电压(最小值):14.4V;击穿电压(最大值):15.9V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:214A;最大钳位电压:21.5V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM6W12A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):12V;击穿电压(最小值):13.3V;击穿电压(最大值):14.7V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:231A;最大钳位电压:19.9V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM8W40AQ-13 | Diodes Incorporated | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):40V;击穿电压(最小值):44.4V;击穿电压(最大值):49.1V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:102A;最大钳位电压:64.5V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:6.6kW; | 获取价格 | ||
| 3.0SMCJ14AQ-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):14V;击穿电压(最小值):15.6V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:129.3A;最大钳位电压:23.2V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:3kW; | 获取价格 |
