找到“mv2101”相关的规格书共6,920个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MURS105T3G | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：875mV@1A 反向电流(Ir)：2uA@50V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MIC29302DTR(XBLW) | Shenzhen Xinbole Electronics Co., Ltd. | 低压差、大电流且精度高的电压调节器电路。,满载条件（3A）下，输入输出压差仅370mV（典型值）、地端电流仅37mA（典型值）。该器件也可应用于, | 获取价格 | ||
| HBR10150U-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):830mV@10A;反向电流(Ir):10uA@150V; | 获取价格 | ||
| HBR20200S-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):860mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V; | 获取价格 | ||
| HBR2045S-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):620mV@10A;反向电流(Ir):20uA@45V; | 获取价格 | ||
| HBR30100V-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):710mV@15A;反向电流(Ir):50uA@100V; | 获取价格 | ||
| HBR20100V-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):730mV@15A;反向电流(Ir):50uA@100V; | 获取价格 | ||
| BAR 65-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):930mV@100mA;反向电流(Ir):20nA@20V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-05 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAS 125-07W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):25V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):800mV@35mA;反向电流(Ir):150nA@25V; | 获取价格 | ||
| BAT 64-04W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):570mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAT 64-06W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阳极;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):570mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAS 3005S-02LRH E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):500mA;正向压降(Vf):450mV@500mA;反向电流(Ir):300uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAS 125-04W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):25V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):800mV@35mA;反向电流(Ir):150nA@25V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-02LRH E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1.5V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-04W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BAR 90-02EL E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):910mV@100mA;反向电流(Ir):50nA@60V; | 获取价格 | ||
| C8051F920-G-GQ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | CPU内核:51系列;CPU最大主频:25MHz;工作电压范围:900mV~3.6V;程序存储容量:32KB;程序存储器类型:-;RAM总容量:4.25KB;GPIO端口数量:24; | 获取价格 | ||
| 4N28SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):500mV@2mA,50mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| ES1DF | MDD辰达半导体 | 正向压降(Vf):950mV @ 1A;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;反向恢复时间(trr):35ns;二极管配置:-; | 获取价格 |
