找到“mv2101”相关的规格书共6,920个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BAS 40-07W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):120mA;正向压降(Vf):720mV@40A;反向电流(Ir):1uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAT 54-05W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):800mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@25V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAT 24-02ELS E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BAS 3010B-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):480mV@1A;反向电流(Ir):20uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-06 E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阳极;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAT 54-02LRH E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):800mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@25V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-02LS E6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1.5V; | 获取价格 | ||
| BAR 90-02ELS E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):910mV@100mA;反向电流(Ir):50nA@60V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-099 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BAS 40-04 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):120mA;正向压降(Vf):720mV@40A;反向电流(Ir):1uA@30V; | 获取价格 | ||
| 74AUP2G157DC,125 | Rubycon Corporation | 类型:多路复用器;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;供电电源:单电源;供电电压:800mV~3.6V;工作温度:-40℃~+125℃; | 获取价格 | ||
| BAT750-7-G-81 | Diodes Incorporated | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):750mA;正向压降(Vf):475mV@1.5A;反向电流(Ir):50uA@30V; | 获取价格 | ||
| 4N27SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):500mV@2mA,50mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| H11AV1SR2VM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2mA,20mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| H11AV1AVM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2mA,20mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| 4N35SVM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):300mV@0.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| FDMC010N08LC | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。 | 获取价格 | ||
| 4N37TVM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):300mV@0.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| DTA113ZUA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):300mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@5m | 获取价格 |
