找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| HBR2045S-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):620mV@10A;反向电流(Ir):20uA@45V; | 获取价格 | ||
| HBR30100V-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):710mV@15A;反向电流(Ir):50uA@100V; | 获取价格 | ||
| HBR20100V-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):730mV@15A;反向电流(Ir):50uA@100V; | 获取价格 | ||
| BAR 65-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):930mV@100mA;反向电流(Ir):20nA@20V; | 获取价格 | ||
| BAS 70-05 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):70mA;正向压降(Vf):880mV@15mA;反向电流(Ir):100nA@50V; | 获取价格 | ||
| BAS 125-07W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;直流反向耐压(Vr):25V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):800mV@35mA;反向电流(Ir):150nA@25V; | 获取价格 | ||
| BAT 64-04W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):570mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAT 64-06W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阳极;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):570mV@100mA;反向电流(Ir):2uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAS 3005S-02LRH E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):500mA;正向压降(Vf):450mV@500mA;反向电流(Ir):300uA@30V; | 获取价格 | ||
| BAS 125-04W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):25V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):800mV@35mA;反向电流(Ir):150nA@25V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-02LRH E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1.5V; | 获取价格 | ||
| BAT 15-04W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对串联式;直流反向耐压(Vr):4V;平均整流电流(Io):110mA;正向压降(Vf):350mV@10mA;反向电流(Ir):5uA@1V; | 获取价格 | ||
| BAR 90-02EL E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):910mV@100mA;反向电流(Ir):50nA@60V; | 获取价格 | ||
| C8051F920-G-GQ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | CPU内核:51系列;CPU最大主频:25MHz;工作电压范围:900mV~3.6V;程序存储容量:32KB;程序存储器类型:-;RAM总容量:4.25KB;GPIO端口数量:24; | 获取价格 | ||
| 4N28SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:-;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):500mV@2mA,50mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| ES1DF | MDD辰达半导体 | 正向压降(Vf):950mV @ 1A;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;反向恢复时间(trr):35ns;二极管配置:-; | 获取价格 | ||
| PBSS4160DPN,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):560mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):115mV@500mA,50mA；120mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1A,5V；160@1A,5V;特征频率(fT):220MHz；185MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DTC114YE-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)：1.4V@1mA,0.3V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)：300mV@100uA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii)：300mV@5mA,0.25mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：68@5mA,5V | 获取价格 | ||
| BC847BPDW1T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):380mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA；650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DSS210 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):850mV@2A;反向电流(Ir):100uA@100V; | 获取价格 |
