找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| BCX 53-16 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 52-16 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP 56-10 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74AXP1G32GXH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AXP;逻辑类型:或门;通道数:1;电源电压:700mV~2.75V;静态电流(最大值):600nA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟:2.7ns@2.5V,5pF; | 获取价格 | ||
| BCV62,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC55-10PA,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):420mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2PA1774RM,315 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):430mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1mA,6V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74AXP1T32GXZ | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AXP;逻辑类型:或门;通道数:1;电源电压:700mV~2.75V;静态电流(最大值):500nA;灌电流(IOL):12mA;拉电流(IOH):12mA;最大传播延迟:6.5ns@2.5V,50pF; | 获取价格 | ||
| BCV61B,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 060-P666-03 | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | HONEYWELL - 060-P666-03 - S-BEAM FORCE CELL, 5099KG, 10V, STEEL - Load Capacity:5099kg; Supply Voltage:10V; Operating Temperature Min:-20°C; Operating Temperature Max:80°C; Cell Output mV / V:2; Product Range:CA151 Series 81Y2188 | 获取价格 | ||
| 2SB1123S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,1mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FODM214 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:AC,DC;输出通道数:1;正向电压:1.2V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.4mA,8mA;隔离电压(rms):3.75kV; | 获取价格 | ||
| FIN1108MTD | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 此八端口中继器适用于使用低压差分信号 (LVDS) 技术的高速互联。FIN1108 接受并输出 330mV 典型差分输出摆幅的 LVDS 电平，即使在高频率下也会提供低 EMI 和超低功耗。FIN1108 为输入上的交流耦合提供 VBB 参考。另外，FIN1108 可以直接接受 LVPECL、HSTL 和 SSTL-2 来转换为 LVDS。 | 获取价格 | ||
| H11A1SR2M | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:30mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@0.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| CNY173SVM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.15V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| FZT649 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HMHA281R4V | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.3V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.4mA,8mA;隔离电压(rms):3.75kV; | 获取价格 | ||
| 1SS351-TB-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Rf Schottky Diode, 5V, 0.03A, Sot-23; Diode Configuration:dual Series; Reverse Voltage:5V; Forward Current:30Ma; Forward Voltage:230Mv; Diode Capacitance:0.69Pf; Diode Case Style:sot-23; No. Of Pins:3 Pin; Product Range:- Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| SF34G | DIYI ELECTRONIC | Diode, Fast, 3A, 200V; Repetitive Peak Reverse Voltage:200V; Average Forward Current:3A; Diode Configuration:single; Forward Voltage Max:950Mv; Reverse Recovery Time:35Ns; Forward Surge Current:125A; Operating Temperature Max:150°C Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| BCP56-16-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：-80V 集电极电流(Ic)：-1A 功率(Pd)：1.5W 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V | 获取价格 |
