找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| BCM857BV,315 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):175MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC52-16PASX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74AUP1G02GX,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AUP;逻辑类型:或非门;通道数:1;电源电压:800mV~3.6V;静态电流(最大值):500nA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟:6.4ns@3.3V,30pF; | 获取价格 | ||
| FOD8802A | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:2;正向电压:1.35V;反向电压:6V;输出电流:30mA;接收端电压:75V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):150mV@0.6mA,3mA;隔离电压(rms):2.5kV; | 获取价格 | ||
| DTA123TET1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):500nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@10mA,300uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V; | 获取价格 | ||
| CNY173M | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.15V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| H11A1TVM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:30mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@0.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| FJB5555TM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):170mV@1A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@800mA,3V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FODM121R2 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.3V;反向电压:6V;输出电流:80mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.4mA,8mA;隔离电压(rms):3.75kV; | 获取价格 | ||
| FIN1028M | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 此双路接收器适用于使用低压差分信号 (LVDS) 技术的高速互联。该接收器将典型差分输入阈值为 100 mV 的 LVDS 电平转换为 LVTTL 信号电平。即使在高频率下，LVDS 也提供低 EMI 和超低功耗。此器件适用于时钟和数据信号的高速传输。FIN1028 可与其伴随驱动器 FIN1027 或任何其他 LVDS 驱动器进行配对。 | 获取价格 | ||
| H11AG1SR2M | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.25V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@0.5mA,2mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| HMHA2801CR2 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.3V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):300mV@2mA,10mA;隔离电压(rms):3.75kV; | 获取价格 | ||
| FJD5553TM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):230mV@1A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@400mA,3V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FIN1047MTCX | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 此四路驱动器适用于使用低压差分信号 (LVDS) 技术的高速互联。该驱动器将 LVTTL 信号电平转换为典型差分输出摆幅为 350mV 的 LVDS 电平，即使在高频率下也能提供低 EMI 和超低功耗。此器件适用于时钟和数据的高速传输。FIN1047 可与其伴随接收器 FIN1048 或任何其他 LVDS 接收器进行配对。 | 获取价格 | ||
| CNY172SVM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.15V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| 2SB1124T-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):350mV@2A,100mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1419S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DTC144EM3T5G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):260mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):500nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@10mA,300uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V; | 获取价格 | ||
| S9013 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PUMD12,115 | Rubycon Corporation | +150℃@(Tj) 100@5mA,5V 100mV@5mA,0.25mA 10kΩ 4.7 180MHz 300mW 0.7V@100uA,5V 100mA 0.8V@1mA,0.3V 50V 100nA 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased SOT-363 Digital Transistors ROHS | 获取价格 |
