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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
HSM6115HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):5W获取价格
HSU0139HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):102W获取价格
HSH6117HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,18A;获取价格
IRLML2502HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA;获取价格
HSS2301CHUASHUO SEMICONDUCTOR类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.9A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;获取价格
HSS2308AHUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A;获取价格
FDN335NHUASHUO SEMICONDUCTOR漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A;栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA;漏源导通电阻:60mΩ @ 2.5A,4.5V;最大功率耗散(Ta=25°C):0.71W;类型:N沟道;获取价格
HSW2N15HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):350pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
HSP0048HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,13.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
HSU3006HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):53W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
HSU60N02HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@4.5V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;获取价格
HSU70P06HUASHUO SEMICONDUCTORMOSFETs P-沟道 60V 70A 135W 12mΩ@4.5V TO252-2获取价格
HSU1241HUASHUO SEMICONDUCTORHSU1241获取价格
HSM0094HUASHUO SEMICONDUCTORHSM0094获取价格
HSBA6040HUASHUO SEMICONDUCTORHSBA6040获取价格
HSBA6048HUASHUO SEMICONDUCTORHSBA6048获取价格
HSS3404AHUASHUO SEMICONDUCTORHSS3404A获取价格
HSS2310AHUASHUO SEMICONDUCTORHSS2310A获取价格
HSBA3052HUASHUO SEMICONDUCTORHSBA3052获取价格
HSP8004HUASHUO SEMICONDUCTORHSP8004获取价格