| 1 | HK32F031C4T6 | CPU内核:ARM Cortex-M0;CPU最大主频:72MHz;工作电压范围:2V~5.5V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:4MHz~16MHz;程序 FL... | 下载 | Shenzhen Hangshun Integrated Circuit R&D Co. |
| 2 | HER102 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1V@1A;反向电流(Ir):5uA@100V; | 下载 | HL |
| 3 | HER107 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@800V;反向恢复时间(... | 下载 | Changzhou Starsea Electronic Co., Ltd |
| 4 | HP6014AS5-28 | 输出类型:-; | 下载 | HYPWR |
| 5 | HP6014AS5-18 | 输出类型:-; | 下载 | HYPWR |
| 6 | HP6513S5B-50 | 输出类型:-; | 下载 | HYPWR |
| 7 | HP6013AS5-28 | 输出类型:-; | 下载 | HYPWR |
| 8 | HT8096ARTZ | 2.5v~6.0V 1000mA 1.5Mhz同步降压转换器 | 下载 | HTCSEMI |
| 9 | H7211-30M5R | 输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:6V;输出电压:3V;压差:220mV@(150mA);输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PRSS)... | 下载 | Siproin |
| 10 | HSP0048 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,13.... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 11 | HUF75339P3 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,75A... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 12 | HP60N75 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,15A... | 下载 | HL |
| 13 | HY3906P | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):220W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,95A... | 下载 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 14 | HT7727B | 功能类型:升压型;输入电压:850mV~5V;输出电压:2.7V;输出电流(最大值):100mA; | 下载 | Holmate Technology Corp. (Holtek) |
| 15 | HT7350 | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:12V;输出电压:5V;输出电流:250mA;电源纹波抑制比(PSRR):-; | 下载 | Shenzhen guoxin jiapin semiconductor co., LTD |
| 16 | HX810RDBZRG | | 下载 | Hanship Semiconductor |
| 17 | HP6215T3-50 | 输出类型:-; | 下载 | HYPWR |
| 18 | HSU3006 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):53W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 19 | HSU60N02 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@4.5V,30... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 20 | HZ12A1 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):11.6V~12.1V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):1uA@9.5V;阻抗(Zzt):3... | 下载 | ST(先科) |
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