1 | HD830U | N沟道,550V,5A,1.3Ω@10V | 下载 | HL |
2 | HD70N08 | N沟道,80V,70A,10mΩ@10V | 下载 | HL |
3 | HD1H15A | N沟道,100V,15A,105mΩ@10V | 下载 | HL |
4 | HD830 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):550V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,2.... | 下载 | HL |
5 | HSS2N15 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):1.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):240mΩ@10V,... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
6 | HSS2302A | 漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A;栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA;漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,4.5V;... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
7 | HSS2300A | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@4.5V,4A;阈值... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
8 | HSS2306A | 漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A;栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:33mΩ @ 4A,10V;最... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
9 | HSS2307 | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,6A; | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
10 | HT62083ARWZ | 具有额定50V/500mA驱动能力的晶体阵列器 | 下载 | HTCSEMI |
11 | HSW6811 | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,2A... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
12 | H11AA4SR2M | 输入电压类型:AC,DC;输出通道数:1;正向电压:1.17V;反向电压:-;输出电流:50mA;接收端电压:100V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
13 | HCPL2730 | | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
14 | HC-VH-8A9W-G | 参考系列:VH;间距:3.96mm;插针结构:1x8P;排数:1;每排PIN数:8;行距:-;公母:公型插针;安装方式:弯插;额定电流:7A;工作温度范围:-25℃... | 下载 | Huacan Tianlu Electronics |
15 | HG1118M-1515/TR | 输出类型:-; | 下载 | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. |
16 | HG1118M-50AD/TR | 输出类型:-; | 下载 | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. |
17 | HT83063AREZ | 1.5A 峰值升压/降压/反向开关稳压器 | 下载 | HTCSEMI |
18 | HT1584AREZ | 输入电压:25V;输出电流(最大值):3A;开关频率:1.5MHz; | 下载 | HTCSEMI |
19 | HP4555D8-42 | 高耐压带OVP满足IEC62368-1标准,真关断可调截止,超高精度 | 下载 | HYPWR |
20 | HR7P169BFGSF | CPU内核:RISC;CPU最大主频:20MHz;工作电压范围:2.5V~5.5V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:32kHz~20MHz;程序 FLASH容量:... | 下载 | Eastsoft |