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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1MOT50N03D电压VDSS30V,导通电阻Rds10毫欧,电流ID50A下载MOT
2MOT50N02D电压VDSS20V,导通电阻Rds8毫欧,电流ID50A下载MOT
3MPP474J2A0701下载KYET
4MAX9101EUK+TIC COMPARATOR OD SOT23-5下载Analog Devices Inc.
5MAX919EUK--V+TIC COMPARATOR NANO 1.8V SOT23-5下载Analog Devices Inc.
6MAX9648AUK+TIC COMPARATOR GP SGL SOT23-5下载Analog Devices Inc.
7MCR100-8可控硅/晶闸管/光电可控硅 SOT89-3下载Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
8MD7601B4010uA静态功耗,40V耐压,1A电流输出,高瞬态下载Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd.
9MJ11016G类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):30A;功率(Pd):200W;集电极截止电流(Icbo@Vcb):1mA;集电极-发射极饱...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
10MJD340T4G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
11MJD210T4G晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):45@2A,1V;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
12MJD200G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.4W;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
13MJD32C晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;下载Rubycon Corporation
14ME60N03类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):48.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,3...下载MATSUKI
15MPBH103J3A0701下载KYET
16MMBT4401LT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
17MMBT2222ALT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
18MMBT2907A晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;下载Rubycon Corporation
19MMBT2907ALT1G晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
20MMBTA06LT3G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.