| 1 | MJD31CT4G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(V... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 2 | ME20N03 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):39A;功率(Pd):37W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,15A;... | 下载 | MATSUKI |
| 3 | MJD44H11T4G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 4 | MPS2222A | | 下载 | JSMICRO SEMICONDUCTOR |
| 5 | ME6208A36TG | | 下载 | Najing Micro One Electronics Inc. |
| 6 | MMBF5484 | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;栅源截止电压(VGS(off)@ID):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(R... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 7 | MMBT3904LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 8 | MMBT918LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):15V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):225mW; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 9 | MMBTH10LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@4mA,10V... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 10 | MMBT2484LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@1m... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 11 | MMBT5088LT1G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@100... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 12 | MMBF170LT1G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,20... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 13 | MMBT6520LT1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):350V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 14 | MMBFJ111 | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 15 | MMBT3904,215 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 16 | MAC97A8-23-3L | | 下载 | Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd |
| 17 | MMBT5401 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发... | 下载 | PSI |
| 18 | MMBTA42 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):350mW;集电极截止电流(Icbo):80nA;集电极-发... | 下载 | YONGYUTAI |
| 19 | MMBT7002K | | 下载 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED |
| 20 | MMBT2222A | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | YFW |
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