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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1MJD44H11T4G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
2MPS2222A下载JSMICRO SEMICONDUCTOR
3ME6208A36TG下载Najing Micro One Electronics Inc.
4MMBF5484FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;栅源截止电压(VGS(off)@ID):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(R...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
5MMBT3904LT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
6MMBT918LT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):15V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):225mW;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
7MMBTH10LT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@4mA,10V...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
8MMBT2484LT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@1m...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
9MMBT5088LT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@100...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
10MMBF170LT1G类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):225mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,20...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
11MMBT6520LT1G晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):350V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
12MMBFJ111FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;功率(Pd):-;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
13MMBT3904,215晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10...下载Rubycon Corporation
14MAC97A8-23-3L下载Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd
15MMBT5401晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发...下载PSI
16MMBTA42晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):350mW;集电极截止电流(Icbo):80nA;集电极-发...下载YONGYUTAI
17MMBT7002K下载CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED
18MMBT2222A晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发...下载YFW
19MMBT2907A晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):20nA;集电极-发射...下载YFW
20MMBT5401下载YFW