找到“215”相关的规格书共12,705个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| QMT215 | TE Connectivity Ltd | TAGID/RATINGS5.75"X2.87"100PC | 获取价格 | ||
| TSW-215-26-G-Q | Samtec Inc. | 获取价格 | |||
| 10131930-215ULF | Amphenol Corporation | CONN RCPT 15P 0.079 GOLD PCB R/A | 获取价格 | ||
| PBSS5140T,215 | NXP Semiconductors | 获取价格 | |||
| BCV63B,215 | Rubycon Corporation | SOT-143 Darlington Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| BCV65,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@2A,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC849C,215 | Rubycon Corporation | General Purpose Transistors 50V 100mA NPN SOT23 420~800 | 获取价格 | ||
| BF821,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V; | 获取价格 | ||
| HWCC215 | NTE Electronics, Inc | RES-1/2W 1.5K OHM 5% | 获取价格 | ||
| SCR0805F215R | Anhui Vico Technologies Co., Ltd. | 获取价格 | |||
| BCV47,215 | Rubycon Corporation | 类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@5V,100mA; | 获取价格 | ||
| PMBT2222A,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; | 获取价格 | ||
| PMBT3904,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; | 获取价格 | ||
| BC856B,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V; | 获取价格 | ||
| MMBT3906,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; | 获取价格 | ||
| PBSS8110T,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):480mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@250mA,10V; | 获取价格 | ||
| PMBTA06,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | 获取价格 | ||
| PBSS4350T,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):540mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1A,2V; | 获取价格 | ||
| 2N7002,215 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):300mA;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA; | 获取价格 | ||
| PMBFJ177,215 | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-; | 获取价格 |
