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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
CDRH104RNP-101NCSumida America Components Inc.功率电感 100µH ±30% IND_10.2X10MM_SM 4.00mm 10.50 x 10.30mm 304mΩ 1.33A获取价格
MPXH6300AC6T1NXP Semiconductors压力传感器 2.9PSI ~ 44.09PSI(20kPa ~ 304kPa) 公型 - 0.13"(3.3mm)管 0.3V ~ 4.9V获取价格
MPXH6300AC6UNXP SemiconductorsPressure Sensor 2.9 PSI ~ 44.09 PSI (20 kPa ~ 304 kPa) Absolute Male - 0.13" (3.3mm) Tube 0.3 V ~ 4.9 V 8-SSOP (0.335", 8.50mm Width), Top Port获取价格
SLD10D40S-101MTTSunltech Technology Co., Ltd.功率电感 100µH ±20% IND_10.5X10.3MM_SM 4.00mm 10.50 x 10.30mm 304mΩ 1.35A获取价格
CYMOC3083OCICCYMOC304X,CYMOC306X,CYMOC308X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光 电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元,可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信 号传输,使输入端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。获取价格
FDMT80040DCMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):420A;功率(Pd):156W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.44mΩ@10V,64A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250mA;栅极电荷(Qg@Vgs):149nC@0~6V;输入电容(Ciss@Vds):18.65nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):304pF@20V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
NCE70T1K2KWUXI NCE POWER CO., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):41W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):304pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):0.5pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
CYMOC3063OCICCYMOC304X,CYMOC306X,CYMOC308X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元,可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输,使输入端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。获取价格