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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1216S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF10N60C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):44nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.57nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):18pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA13N50CF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):218W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):430mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):43nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.58nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1816S-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1552S-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF9P25YDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):910pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):27pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HUF75344P3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):175nC@0~20V;输入电容(Ciss@Vds):3.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):310pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HUF75332P3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):145W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@20V;输入电容(Ciss@Vds):1.3nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):115pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB9509L-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):16.1A;功率(Pd):3.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):22nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.4nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):39pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1552S-TL-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDWS86369-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):65A;功率(Pd):107W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.9mΩ@10V,65A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):35nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):2.47nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):14pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDPF39N20TLDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):39A;功率(Pd):37W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,19.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.64nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):57pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB9406L-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):176W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):121nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):8.6nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):107pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HUF75345G3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):325W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):220nC@0~20V;输入电容(Ciss@Vds):4nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):450pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSP16T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@50mA,10V;特征频率(fT):15MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF8N80CYDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):59W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.29Ω@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):35nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.58nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):13pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDWS86068-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):31nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):2.22nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):19pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCP9N60N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Pd):83.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):330mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):22nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):930pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):2pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5657G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):350V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):10mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@100mA,10V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA27N25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):27A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):83mΩ@10V,13.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):50nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.9nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):49pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
