找到“BCY58”相关的规格书共5,878个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| AFE58JD32 | Texas Instruments | AFE58JD32 32-Channel Ultrasound AFE With 35-mW/Channel Power, 2.1 nV/√Hz Noise, 12-Bit, 40-MSPS or 10-Bit, 50-MSPS Output, Passive CW Mixer, LVDS and JESD204B Interface, and Digital Demodulator datasheet (Rev. A) | 获取价格 | ||
| AFE58JD28 | Texas Instruments | AFE58JD28 16-Channel Ultrasound AFE with 102-mW/Channel Power, 0.8-nV/√Hz Noise, 14-Bit, 65-MSPS or 12-Bit, 80-MSPS ADC, Digital Demodulator, JESD or LVDS Interface, and Passive CW Mixer datasheet | 获取价格 | ||
| ERJ6ENF1584V | Panasonic Corporation | Res, 1M58, 1%, 0.125W, 0805, Thick Film; Resistor Case Style:0805 [2012 Metric]; Resistance:1.58Mohm; Product Range:erj6En Series; Voltage Rating:150V; Resistor Element Material:thick Film; Power Rating:125Mw; Resistance Tolerance:± Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| C8051F581-IQ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mcu, 8Bit, 50Mhz, Qfp-48; Product Range:c8051 Family C8051F58X Series Microcontrollers; Cpu Speed:50Mhz; Program Memory Size:128Kb; Ram Memory Size:8Kb; No. Of Pins:48Pins; Mcu Case Style:qfp; No. Of I/o S:40I/o S; Embedded Interfacerohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| 010-89-7582 | MOLEX1[MolexElectronicsLtd.] | 010-89-7582 - 2.54mm (.100") Pitch C-Grid® Breakaway Header, Dual Row, Vertical, High Temperature, 58 Circuits, 0.38μm (15μ") Gold (Au) Selective Plating, Tin (Sn) PC Tail Plating, 2.72mm (.107") PC Tail - Molex Electronics Ltd. | 获取价格 | ||
| X1321FR-2x29-C43D24 | XKB INDUSTRIAL PRECISION CO.,LIMITED | 间距:1.27mm;总孔位数:58;排数:2;插孔结构:2x29P;行距:1.27mm;安装类型:弯插;圆孔/方孔:方孔;额定电流:1A;额定电压:250V;插孔方向:侧面;塑高:4.3mm;触头材质:黄铜;触头镀层:金;工作温度范围:-40℃~+105℃;焊接温度(最大值):260℃; | 获取价格 | ||
| DP0640SB | DC | 反向截止电压(Vdrm):58V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):77V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):80pF; | 获取价格 | ||
| SMBJ58CA | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 此款TVS瞬态抑制二极管采用SMB封装，为双向设计，特别适用于对抗瞬间过电压冲击。具有58V的额定反向工作电压（VRWM）和6.5A的最大脉冲峰值电流（IPP），能在正负极性瞬变事件中快速响应，提供卓越的电路保护能力，有效防止过压损害，确保电子设备稳定运行。 | 获取价格 | ||
| X6521WVS-2x29H-C60D74 | XKB INDUSTRIAL PRECISION CO.,LIMITED | 间距:2.54mm;总PIN位数:58;排数:2;插针结构:2x29P;行距:-;安装类型:立贴;圆针/方针:方针;额定电流:3A;额定电压:250V;配合针长度:6mm;塑高:2.5mm;端接针长度:-;触头材质:黄铜;触头镀层:金;工作温度范围:-40℃~+105℃;焊接温度(最大值):260℃; | 获取价格 | ||
| ASM-1406 | L-COM | 压接式连接器，SMA公头，用于RG8、低损耗400系列线缆 - ASM-1406 SMA公头连接器，有直通式和直角式可选，适用于50欧姆线缆，包括RG58、RG174、RG188、RG316、低损耗100、195、200、240和400系列线缆。所有SMA连接器均采用压接工艺，确保牢固、高效的连接。 | 获取价格 | ||
| 74AUP1G58L6X | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 74AUP1G58是通用可配置2输入逻辑门，不仅性能高而且功耗低，是电池供电便携式应用的理想解决方案。 此产品设计用于较宽的低电压范围（0.8V到3.6V），确保在整个电压范围内具有极低的静态和动态功耗。 所有输入均利用滞后现象来执行，以允许慢速转换输入信号，并提高开关抗噪能力。 | 获取价格 | ||
| BUK7Y13-40B,115 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):58A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):983pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):138pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IAP15W4K58S4-30I-LQFP64S | STC | CPU内核:51系列;CPU最大主频:-;工作电压范围:2.5V~5.5V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:58KB;RAM总容量:4KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:62;ADC(单元数/通道数/位数):1@x8ch/10bit;DAC(单元数/通道数/位数):-;(E)PWM(单元数/通道数/位数):1@x6ch/15bit;8位Timer数量:-;16位Timer数量:5;32位Timer数量:-;内部比较器数量:1;U(S)ART路数:4; | 获取价格 | ||
| BUK7E13-60E,127 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):58A;功率(Pd):96W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.6mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):22.9nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1298pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):122pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDPF44N25TRDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):44A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,22A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):47nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.21nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JMTL2301C | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):503pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):58pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NUF4001MUT2G | ON Semiconductor | 该器件是用于无线应用的 4 线 EMI 滤波器阵列。 在 800 MHz 至 5.0 GHz 范围的频率下可获得大于 -25 dB 的衰减。 NUF4001MU 的切断频率为 150 MHz，可用于数据速率最高 58 MHz 或 116 Mbs 的应用。 此 UDFN 封装专用于增强小外形或薄款设计电子元件的 EMI 滤波性能，尤其适用于空间和高度非常宝贵的应用。 它还提供针对静电荷的 ESD 保护箝位瞬变。 所有电容器均提供 ESD 防护。 | 获取价格 | ||
| PMDT290UCE,115 | Nexperia | 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V； | 获取价格 |
