| 74AHCT1G126GW | MDD辰达半导体 | 是一款带三态输出的单缓冲器/线路驱动器。输入具有过压容限 | | | 获取价格 |
| 74AHC1G09GW | MDD辰达半导体 | 一款单路2输入与门，具有漏极开路输出。输入具备过压容限 | | | 获取价格 |
| 74AHCT1G08GW | MDD辰达半导体 | 单路 2 输入与门。输入具有过压容限 | | | 获取价格 |
| 74LVC1G04GW | MDD辰达半导体 | 74LVC1G04GW是一款单反相器。其输入可由3.3 V或5 V器件驱动。这一特性使得这些器件可在3.3 V和5 V混合环境中用作电平转换器 | | | 获取价格 |
| 74HC08D | MDD辰达半导体 | 4 通道、2 输入、2V 至 6V 5.2 mA 驱动强度与门 | | | 获取价格 |
| 74LVC1G11GV | MDD辰达半导体 | 74LVC1G11GV是一款单路三输入与门。其输入可由3.3 V或5 V器件驱动 | | | 获取价格 |
| 74AHCT1G32GV | MDD辰达半导体 | Single 2-input OR gate; TTL input | | | 获取价格 |
| 74AHCT1G08GV | MDD辰达半导体 | 单路 2 输入与门。输入具有过压容限 | | | 获取价格 |
| 74HC595PW | MDD辰达半导体 | 8 位串行输入/并行输出移位寄存器；2V 至 6V 的宽工作电压范围；高电流三态输出最多可驱动 15 个低功耗肖特基晶体管 -晶体管逻辑器件 (LSTTL) 负载；低功耗：80 μA（最大值）ICC；Δtₚd = 13 ns（典型值）；电压为 5V 时，输出驱动为 ±6mA；低输入电流：1μA（最大值）；移位寄存器具有直接清零功能。 | | | 获取价格 |
| DTA123YCA | MDD辰达半导体 | 特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，便于设备设计 | | | 获取价格 |
| DTA143ECA | MDD辰达半导体 | 特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计 | | | 获取价格 |
| ME5V0Z1BBC | MDD辰达半导体 | SOD-523封装小信号ESD管 | | | 获取价格 |
| MMBT3904T | MDD辰达半导体 | SOT-523塑料封装晶体管 | | | 获取价格 |
| MDDG04R01L | MDD辰达半导体 | 40V N通道增强模式MOSFET | | | 获取价格 |
| MDD60N04D | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| MBRF3060CT | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| MMDT3904 | MDD辰达半导体 | SOT-363塑料封装晶体管 | | | 获取价格 |
| MDDG10R08P | MDD辰达半导体 | 100V N通道增强模式MOSFET | | | 获取价格 |
| MDD3407A | MDD辰达半导体 | 30V P通道增强模式MOSFET | | | 获取价格 |
| MURB2040D | MDD辰达半导体 | TO-236塑料封装超快恢复整流二极管 | | | 获取价格 |
