| SS110F | MDD辰达半导体 | 肖特基二极管 VR=100V IF=1A VF=0.85V IR=500uA | | | 获取价格 |
| SM24 | MDD辰达半导体 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):24V;击穿电压:26.7V;最大钳位电压:52V; | | | 获取价格 |
| SM12C | MDD辰达半导体 | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):12V;击穿电压:13.3V;最大钳位电压:32V; | | | 获取价格 |
| SM12 | MDD辰达半导体 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):12V;击穿电压:13.3V;最大钳位电压:32V; | | | 获取价格 |
| SL56C | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| SL56B | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| SL34BF | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):450mV@3A; | | | 获取价格 |
| SK106B | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| SF54G | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):950mV@5A;反向电流(Ir):10uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SD24 | MDD辰达半导体 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):24V;击穿电压(最小值):26.7V;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:7A;最大钳位电压:52V; | | | 获取价格 |
| SD18 | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| S3JB | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.1V@3A; | | | 获取价格 |
| RS3MF | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| RS1A | MDD辰达半导体 | 与RS1AG品质一样 | | | 获取价格 |
| MSB56 | MDD辰达半导体 | 普通一般通用贴片整流器GPP工艺 | | | 获取价格 |
| MMBZ27VAL | MDD辰达半导体 | MMBZ27VAL | | | 获取价格 |
| MDD50N03D | MDD辰达半导体 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V; | | | 获取价格 |
| MDD3404 | MDD辰达半导体 | 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 | | | 获取价格 |
| MDD16N65F | MDD辰达半导体 | 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路 | | | 获取价格 |
| MBRF3045CT | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):550mV@15A; | | | 获取价格 |
