| HYG013N04NA1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG013N04NA1P | | | 获取价格 |
| HY0910D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):21W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):143mΩ@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| HYG080NH03LR1C1 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):31A；33A;功率(Pd):21.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.3mΩ@10V,10A；8.8mΩ@10V,10A; | | | 获取价格 |
| HY3210P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY3210P | | | 获取价格 |
| HYG092N10LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.348nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):12.4pF@50V;工作温度:+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY050N08P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):105A;功率(Pd):166W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY4008P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):200A;功率(Pd):345W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY4004B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):208A;功率(Pd):217W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,104A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY3208AP | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):227W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY3010B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,50A; | | | 获取价格 |
| HYG023N04LS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY3215B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY4504B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):288W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,125A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY3312B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):125V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):278W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,65A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY3708B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HYG035N10NS2B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| HYG016N04LS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):240A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,40A; | | | 获取价格 |
| HYG065P03LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):57.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.9mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.595nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):446pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY3010D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY3906P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):190A;功率(Pd):220W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,95A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
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