HYG053N10NS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
HY1720P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):64A;功率(Pd):263W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | | | 获取价格 |
HY4504P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):288W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,125A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
HY045N10P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):221W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
HYG023N04LS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
HY1001D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):82nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):220pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
HYG023N04NR1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):45V;连续漏极电流(Id):140A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,40A; | | | 获取价格 |
HYG028N10NS1B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs TO263-6L N-Channel Vdss=100V Vgss=±20V Pd=300W Trr=85.1ns | | | 获取价格 |
HY3003D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N-Channel 30V 100A TO252 67.6W 232pF -55℃~+150℃(TJ) | | | 获取价格 |
HY4306P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N-Channel 60V 230A TO220FB-3L 258W 2.6mΩ 1µA +175℃(TJ) | | | 获取价格 |
HYG060N08NS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | MOSFETs N-沟道 80V 80A TO252 | | | 获取价格 |
HYG011N04LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
HY3810B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY3810B | | | 获取价格 |
HY19P03D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY19P03D | | | 获取价格 |
HYG028N10NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG028N10NS1B | | | 获取价格 |
HYG400P10LR1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
HY1906B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
HY1607B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
HYG025N06LS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V,40A; | | | 获取价格 |
HYG054N09NS1B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):135A;功率(Pd):187.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):88.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.067nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):59pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |