| HY1908P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY1908P | | | 获取价格 |
| HY1908B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY1908B | | | 获取价格 |
| HYG011N04LS1TA | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG011N04LS1TA | | | 获取价格 |
| HY3403B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY3403B | | | 获取价格 |
| HYG072N08NR1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):68nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.77nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):164pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG065N15NS1B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):165A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):96nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.646nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):88pF@75V;工作温度:+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HY1603P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):62A;功率(Pd):36W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,31A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| HY3403P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):140A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,70A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| HYG420N06LR1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| HY1607D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HY1607D | | | 获取价格 |
| HY1904C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HYG080N10LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG080N10LS1C2 | | | 获取价格 |
| HYG030N03LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):57W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.958nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):292pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG025N04LQ1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):151nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):334pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG009N04LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | HYG009N04LS1C2 | | | 获取价格 |
| HYG035N06LS1D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):65V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):183W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):41.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.687nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):112pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HYG055N10NS1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | | | | 获取价格 |
| HY1803C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):52W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
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