| BCR 116S H6727 | Infineon Technologies | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 150MHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-PO | | | 获取价格 |
| CY8C29466-24PVXI | Infineon Technologies | M8C PSOC®1 CY8C29xxx 微控制器 IC 8 位 24MHz 32KB（32K x 8） 闪存 28-SSOP | | | 获取价格 |
| CY8C21334-24PVXI | Infineon Technologies | M8C PSOC®1 CY8C21xxx 微控制器 IC 8 位 24MHz 8KB（8K x 8） 闪存 20-SSOP | | | 获取价格 |
| IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | 表面贴装型 N 通道 60 V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3 | | | 获取价格 |
| IPD90N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | 表面贴装型 N 通道 30 V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3-11 | | | 获取价格 |
| BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | RF 晶体管 NPN 12V 80mA 8GHz 580mW 表面贴装型 PG-TSLP-3-1 | | | 获取价格 |
| ISP25DP06LMS | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| IPB65R095C7 | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| IPN70R1K4P7S | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):6.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,700mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@40uA; | | | 获取价格 |
| IPN70R900P7S | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):6.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,1.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@60uA; | | | 获取价格 |
| IPB65R190C7 | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| IPB65R190CFDA | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| IPB120N06S4-H1 | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| IPB054N06N3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.7mΩ@10V,80A; | | | 获取价格 |
| IPB80N06S4-05 | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| IPB024N08N5 | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| BAT 63-02V E6327 | Infineon Technologies | 二极管 - 射频 肖特基 - 单 3V 100 mA 100 mW PG-SC79-2 | | | 获取价格 |
| BAR 88-02V E6127 | Infineon Technologies | 二极管 - 射频 PIN - 单 80V 100 mA 250 mW PG-SC79-2 | | | 获取价格 |
| BAR 65-02V E6327 | Infineon Technologies | 二极管 - 射频 PIN - 单 30V 100 mA 250 mW PG-SC79-2 | | | 获取价格 |
| BAR 88-02V E6327 | Infineon Technologies | 二极管 - 射频 PIN - 单 80V 100 mA 250 mW PG-SC79-2 | | | 获取价格 |
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