| JCS110N07I | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):72nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.8nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):330pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS6N70VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| BU406-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):60W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@2A,5V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS650C-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):158W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| 3DD4613H-92-FJ | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):500V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@1A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 10F60HF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 10F60HF-220HF2L | | | 获取价格 |
| HBR5150-DO-201AD | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):900mV@5A; | | | 获取价格 |
| HBR2100-SMA | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| 3DD13003A-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):450V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 15F120C-220C2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):3.2V@15A;反向电流(Ir):5uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):40ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 10F40HF3-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.7V@5A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):36ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HBR3045AHF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| JCS4N65VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):122W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS2N60MFB-126F | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| 3DD4243DM-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD4243DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD4242DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD4612DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):450V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HBR30100A-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| 30F120W-2472L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):3V@30A;反向电流(Ir):100uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):40ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
