| JCS110N07I | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):72nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.8nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):330pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS6N70VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| BU406-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):60W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@2A,5V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS650C-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):158W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| 3DD4613H-92-FJ | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):500V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@1A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 10F60HF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 10F60HF-220HF2L | | | 获取价格 |
| HBR5150-DO-201AD | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):900mV@5A; | | | 获取价格 |
| HBR2100-SMA | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| 3DD13003A-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):450V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 15F120C-220C2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):3.2V@15A;反向电流(Ir):5uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):40ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 10F40HF3-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.7V@5A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):36ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HBR3045AHF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| JCS640RH-O-R-N-A | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):140W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS3205CH-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS4N80RC | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| JCS4N65RC-DPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | JCS4N65RC-DPAK | | | 获取价格 |
| JCS7N65FB-220MF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | JCS7N65FB-220MF | | | 获取价格 |
| HBR10150U-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):830mV@10A;反向电流(Ir):10uA@150V; | | | 获取价格 |
| HBR30100-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| 3DD13009K-O-C-N-B | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.8V@8A,1.6A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@5A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
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