0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
型号厂商描述数据手册替代料参考价格
JCS10N65ST-S-ARJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.61nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
JCS2N60VB-IPAKJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):43.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
JCS3910R-DPAKJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.N沟道获取价格
3DD4244DMJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):5μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
JCS2N60VC-IPAKJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.JCS2N60VC-IPAK获取价格
JCS6N70FH TO-220MFJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.JCS6N70FH TO-220MF获取价格
3DD13003E1D-92-FJJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):7@1.5A,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
HBR20100-220HFJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V;获取价格
HBR10150-220HFJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):890mV@10A;反向电流(Ir):10uA@150V;获取价格
3DD13007K-220Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@8A,2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@2A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
HBR5100U-DO-201ADJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):720mV@5A;获取价格
HBR10200-220HFJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):920mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V;获取价格
3CT12BJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.可控硅类型:单向可控硅;断态峰值电压(Vdrm):800V;通态RMS电流(It(rms)):16A;浪涌电流(Itsm@f):190A@10ms;门极平均耗散功率(PG(AV)):1W;通态峰值电压(Vtm):1.6V;门极触发电流(Igt):25mA;门极触发电压(Vgt):1.3V;保持电流(Ih):40mA;工作温度:-40℃~+125℃@(Tj);获取价格
JCS110N07IJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):70V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):72nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.8nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):330pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
JCS6N70VC-IPAKJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
BU406-220CJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):60W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@2A,5V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
JCS650C-220CJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):158W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
3DD4613H-92-FJJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):500V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@1A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
10F60HF-220HF2LJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.10F60HF-220HF2L获取价格
HBR5150-DO-201ADJilin Sino-Microelectronics Co., Ltd.直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):900mV@5A;获取价格