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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
180MXC820M22X50RUBYCON[RUBYCONCORPORATION] 180MXC820M22X50 - LARGE CAN TYPE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS - RUBYCON CORPORATION获取价格
180AXF470M35X20RUBYCON[RUBYCONCORPORATION] 180AXF470M35X20 - LARGE CAN TYPE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS - RUBYCON CORPORATION获取价格
TKVRUBYCON[RUBYCONCORPORATION] TKV - CHIP ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS - RUBYCON CORPORATION获取价格
S8050-TARubycon Corporation获取价格
2SD879Rubycon Corporation获取价格
2SA562Rubycon Corporation获取价格
3DD13003B-TARubycon Corporation获取价格
MPSA56-TARubycon Corporation获取价格
A92-TARubycon Corporation获取价格
2SC1213A-TARubycon Corporation获取价格
MPS2907A-TARubycon Corporation获取价格
MAC97A6-TARubycon Corporation获取价格
2SC536NRubycon Corporation获取价格
2N5551Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
S9012-TARubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
2N5401-TARubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
MPS2907ARubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):670mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@150mA,10V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
SS8050-TARubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
A42Rubycon Corporation晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):305V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):250nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
BC327Rubycon Corporation晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):260MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格