| AM2361P-T1-PF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOSFETs P-沟道 SOT23-3 | | | 获取价格 |
| CEB73A3G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,70A; | | | 获取价格 |
| IRF9Z34NS-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| NTD20N03L27T4G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A; | | | 获取价格 |
| NTD40N03RT4G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A; | | | 获取价格 |
| IRF640NSPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):20A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,20A; | | | 获取价格 |
| NVD2955T4G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | | | | 获取价格 |
| NTD4904NT4G-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | | | | 获取价格 |
| IRFR014TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):18.2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,18.2A; | | | 获取价格 |
| IRFL014TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | | | | 获取价格 |
| 10N03LA-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | | | | 获取价格 |
| FIR15N10LG-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):114mΩ@10V,15A; | | | 获取价格 |
| IRFR3709ZTRRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | | | | 获取价格 |
| STU606S-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | | | | 获取价格 |
| IRFR3708TRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,80A; | | | 获取价格 |
| 20N06HD-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,35A; | | | 获取价格 |
| ME85P03-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,80A; | | | 获取价格 |
| CMD50P06-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,50A; | | | 获取价格 |
| VBL2309 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| VBL165R18 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,11A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
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