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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
C8051F960-B-GQRMurata Manufacturing Co., Ltd.CPU内核:51系列;CPU最大主频:25MHz;工作电压范围:1.8V~3.8V;内部振荡器:有;程序 FLASH容量:128K@x8bit;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:57;ADC(单元数/通道数/位数):-;外设/功能/协议栈:DMA;看门狗;PWM;看门狗;工作温度范围:-40℃~+85℃;获取价格
FDPF39N20TLDTUMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):39A;功率(Pd):37W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,19.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.64nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):57pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
C8051F968-B-GQRMurata Manufacturing Co., Ltd.CPU内核:51系列;CPU最大主频:25MHz;工作电压范围:1.8V~3.8V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:16K@x8bit;RAM总容量:4.25KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:57;ADC(单元数/通道数/位数):-;DAC(单元数/通道数/位数):-;(E)PWM(单元数/通道数/位数):-;8位Timer数量:-;16位Timer数量:-;32位Timer数量:-;内部比较器数量:-;U(S)ART路数:-;I2C路数:-;I2获取价格
C8051F964-B-GQRMurata Manufacturing Co., Ltd.CPU内核:51系列;CPU最大主频:25MHz;工作电压范围:1.8V~3.8V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:64K@x8bit;RAM总容量:8.25KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:57;ADC(单元数/通道数/位数):-;DAC(单元数/通道数/位数):-;(E)PWM(单元数/通道数/位数):-;8位Timer数量:-;16位Timer数量:-;32位Timer数量:-;内部比较器数量:-;U(S)ART路数:-;I2C路数:-;I2获取价格
C8051F966-B-GQRMurata Manufacturing Co., Ltd.CPU内核:51系列;CPU最大主频:25MHz;工作电压范围:1.8V~3.8V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:32K@x8bit;RAM总容量:8.25KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:57;ADC(单元数/通道数/位数):-;DAC(单元数/通道数/位数):-;(E)PWM(单元数/通道数/位数):-;8位Timer数量:-;16位Timer数量:-;32位Timer数量:-;内部比较器数量:-;U(S)ART路数:-;I2C路数:-;I2获取价格
PMF63UNEXNexperia类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.2A 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):42pF@10V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)获取价格
HYG030N03LQ1DHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):57W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.958nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):292pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
FDMS86368-F085Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):57nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):4.35nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
FDWS86368-F085Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):57nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):4.35nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
FCP25N60N-F102Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):216W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):107mΩ@10V,12.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):57nC@10v;输入电容(Ciss@Vds):2.52nF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):3.2pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格